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型号 IRFH5304TR2PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
IRFH5304TR2PBF PDF
代理商 IRFH5304TR2PBF
标准包装 400
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 22A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 毫欧 @ 47A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2360pF @ 10V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-VQFN
供应商设备封装 PQFN（5x6）单芯片焊盘
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFH5304TR2PBFTR
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